黄圃POM废料回收报价
20世纪90年代中期,美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”(nanoimprint lithography)的新技术。
1996年,欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目,约110个研究单位参与,其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。
1997年,Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC,并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室(VNL)签订了极紫外光刻联合研发协议(CRADA)。
1998年,日本开始极紫外光刻研究工作,并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会(EUVA) 。
1962年,中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托,着手研究光刻胶,以吡啶为原料,采用热法工艺,制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。
1967年,中国第一个KPR型负性光刻胶投产。
1970年,103B型、106型两种负胶投产,环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。
PEI 在SiO2上的接枝量:3.18 g/100 g;温度:20 ℃;pH=7PEI 在 SiO2上的接枝量:3.81 g/100 g;温度:20 ℃;时间:30 min;p H:7 3.4.3 选择吸附 IIP-PEI/Si O2对Cr3+/Zn2+和Cr3+/Pb2+在混合溶液中的竞争吸附, 相关分布系数kd数据、选择系数k和相对选择系数k' 如表1所示。从表1中可以看出: (1) 相对于Zn2+和Pb2+, PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数较低,分别是0.456和0.354; (2) 相对于Zn2+和Pb2+, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数较高, 分别为11.23和21.00; (3) IIP-PEI/SiO2对Cr3+/Zn2+和Cr3+/Pb2+的相对选择系数分别为24.63和59.32。上述研究结果表明I-P-PEI/Si O2对Cr3+的吸附能力较强, 远远超过对Zn2+和Pb2+的吸附。这可能是因为对Cr3+的孔穴印迹与Zn2+和Pb2+的尺寸、形状及空间结构不符。Pb2+ (120 pm) 及Zn2+ (74 pm) 比Cr3+ (64 pm) 大, 所以无法进入Cr3+的印迹孔穴中。另外, PEI与Cr3+的配体为6, 而与Pb2+和Zn2+的配体为4。所以因为与结合点不相配 , Pb2+或Zn2+与IIP-PEI/Si O2结合。
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PLCL-PEG-PLCL,LA:CL 50:50
Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(lactide-co-caprolactone)
聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯PLCL-PEG-MAL
Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL LA:CL 50:50
Zhu等[16]在硅胶表面通过APTES和丙烯酰氯 (AC) 两步接枝, 以咪唑为模板, MAA为单体, EGDMA为交联剂制备了咪唑SSMIP (如图2所示) 。采用静态吸附、固相萃取 (SPE) 和液相谱 (HPLC) 研究SSMIP的吸附性能和选择性。结果表明, SSMIP和SSNIP (Non-imprinted polymer) 对咪唑的大吸附容量分别为312μmol/g和169μmol/g, 达到吸附平衡所需时间为30min, 其吸附过程符合拟二级动力学模型;与SSNIP相比, SSMIP表现出更高的吸附性能。将SSMIP用作固相萃取填料, 可以从溴化1-己基-3-甲基咪唑鎓 ([C6mim][Br]) 和2, 4-二氯苯酚 (2, 4-DCP) 的混合物中选择性分离咪唑, 对咪唑和[C6mim][Br]的回收率分别为97.6%~102.7%和12.2%~17.3%, 而2, 4-DCP在SSMIP-SPE萃取柱上没有保留。