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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PCLA-PEG-MAL

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  CL:LA  50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-马来酰亚胺

　　PCLA-PEG-COOH

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Acid  CL:LA  50:50

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　　结果如图10所示。在连续5次注射后，在组中，给10mg/kg(以喜树碱含量计)的p(cpt-maa)前纳米凝胶显示出高的抑制肿瘤生长率。注射21天后，肿瘤体积(187.3±92.3mm3)显著低于pbs处理的小鼠(1354.4±283.3mm3，p<0.01)，空白pmaa纳米凝胶(1251.1±301.2mm3，p<0.01)和非还原敏感的p(cpt-maa)纳米凝胶(955.5±169.1mm3，p<0.01)，略低于p(cpt-maa)前纳米凝胶5mg/kgcpt处理的小鼠(418.3±96.2mm3，p<0.05)。给予5mg/kg游离喜树碱的组在初13天也获得良好的抗肿瘤效果，但它引起较严重的毒副作用:游离cpt组中的小鼠显示出度疼痛的状况，并且体重显着降低22％；更糟糕的是，该组中的小鼠在13天后迅速死亡。相反，用p(cpt-maa)前纳米凝胶处理的小鼠的体重和疼痛状态没有显著变化，即使给予10mg/kg的治疗剂量。

　　将1.5 g的IIP-PEI/Si O2装入玻璃柱 (直径为8 mm) , 柱体积为2 m L。配制初始浓度为1000 mg/L的Cr3+离子溶液, 使其逐渐通过玻璃柱, 速度为每小时5床体积 (5 BV/h) 。收集1个床体积的流出液, 测定流出液Cr3+含量, 绘制动态吸附曲线, 计算渗透吸附量和饱和吸附量。采用0.01 mol/L的HCl溶液作为解吸剂对吸附剂进行解吸, 解吸剂的流速为1 BV/h。收集1BV/h的流出液, 测定其Cr3+浓度, 绘制解吸曲线。