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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　3 牺牲硅胶骨架法牺牲硅胶骨架法是在本体聚合过程中, 于印迹过程完成后, 将硅胶作为牺牲材料 (Sacrificial material) 用氢氟酸 (HF) 洗去, 以得到形状较为规整的分子印迹聚合物的方法。 1 分子印迹技术的原理及特点 分子印迹技术是指将模板分子与选择好的功能单体通过一定作用形成主一客体复合物,然后加入一定量的交联剂和功能单体共同聚合成高分子聚合物。除去模板分子后,刚性聚合物中的空穴记录有模板分子的构型,且功能基团在空穴中的排列与模板分子互补,从而对特定的模板分子具有较高的识别能力,而达到分离混旋物的目的。分子印迹分离技术是一种有着专一选择性的新型分离技术。与天然抗体相比,具有高选择性、高强度(即耐热、耐有机溶剂、耐酸碱)、制备简单而且模板分子可回收和重复使用的特点。

　　聚丙烯酸-b-聚丙烯酰胺PAA-PMMAPoly(Acrylic Acid-B-Methyl Methacrylate)

　　聚丙烯酸-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PAA-PIPA

　　Poly(acrylic acid-b-N-isopropylacrylamide)

　　聚丙烯酸-b-聚N-异丙基丙烯酰胺

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　　1 SSMIP的制备方法目前SSMIP的制备方法主要有接枝共聚法、活性可控自由基聚合法、牺牲硅胶骨架法和溶胶-凝胶法4种。 1.1 接枝共聚法 接枝共聚法是利用硅材料表面的活泼基团, 在由一种或几种单体组成的聚合物主链上, 通过一定的途径接上由另一种或几种单体组成的支链的共聚反应。接枝共聚法是高聚物改性技术中易实现的一种化学方法, 近年来在SSMIP制备中的发展尤为迅猛。

　　7.2 交联反应的物料比在环氧氯丙烷与PEI上氨基的氢原子发生交联反应。交联剂ECH与IIP-PEI/Si O2氨基的H原子的摩尔比通过改变ECH的用量变化, 制得具有不同孔穴结构的不同印迹材料IIP-PEI/SiO 2。IIP-PEI/Si O2上氨基的H原子总量即为N原子数量, 因为在PEI分子中伯胺基、仲胺基、叔胺基的比例为1∶2∶1。因此, ECH与氨基中H原子的摩尔比即为ECH与N原子的摩尔比。图10表明了饱和吸附量和ECH与N原子摩尔比之间的关系。