金湾热塑性弹性回收电话

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　Poly(styrene)-block-poly(ethylene glycol)聚苯乙烯-b-聚乙二醇

　　PDLLA-b-PAA

　　Poly(D,L-lactide-block-acrylic acid)

　　DL型聚乳酸-b-聚丙烯酸

　　PGA-PEG-PGA

　　Polyglycolide-block-poly(ethyleneglycol)-block-polyglycolide

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　　实施例15还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-10的制备将cpt-ss-m(100mg)，甲基丙烯酸(400mg)，甲叉双丙烯酰胺(55.6mg)和偶氮二异丁腈(16.8mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为75.5±0.7％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为1205±24nm，电位为-17.4±1.0mv。

　　Yuan等[14]首先将MAA接枝聚合到硅胶的表面, 然后以苯酚为模板、EGGE为交联剂制备苯酚SSMIP。实验结果表明, 该SSMIP的饱和结合量为160mg/g, 对邻甲酚和氯酚的选择性系数分别高达22和23。杨挺等[15]以3- (异丁烯酰氧) 丙基三甲氧基硅烷为媒介, 将PMAA偶合接枝到硅胶表面。以克仑特罗为模板分子, MAA为单体, EGGE为交联剂, 在甲醇/水溶液中对接枝在硅胶表面的PMAA大分子链进行印迹, 制备了克仑特罗SSMIP。该SSMIP对克仑特罗具有特异的识别选择性、优良的结合亲和性及洗脱性, 吸附在20min时能达到平衡, 饱和吸附量为15.8mg/g。