石碣PA6水口料回收电话

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　进一步地，所述引发剂选自偶氮类引发剂。优选地，所述引发剂为偶氮二异丁腈。

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:

　　喜树碱前的接枝率为75.5～95.4％；

　　所述喜树碱前凝胶的粒径为331～1205nm；

　　所述喜树碱前凝胶的电位为-21.5～-17.4mv。

　　进一步地，所述的喜树碱前凝胶由下述方法制备得到:取喜树碱前、甲基丙烯酸、交联剂和引发剂，分散于反应溶剂中，于保护气氛下反应，即得。

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　　Poly(dimethylsiloxane-b-t-butyl acrylate)

　　PDMS-PHEA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-hydroxy ethylacrylate)

　　PDMS-PMMA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-methylmethacrylate)PDMS-PtBuMA

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