恩平PA6水口料收购价格

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　二亲嵌段共聚物列表:PS-b-PAA

　　polystyrene-block-poly(acrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸

　　PS-b-PMMA

　　Polystyrene-block-Poly(methyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PS-b-PEG

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　　PBd-PS-PBd

　　Polybutadiene(1,4-addition)-b-Polystyrene-b-Polybutadiene(1,4-addition)

　　PEO-PS-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-styrene-b-ethyleneoxide)PEO-PLA-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-lactide-b-ethyleneoxide)

　　Poly(styrene-b-2-hydroxyethyl methacrylate)聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯

　　PS-b-PHPMA

　　Poly(styrene-b-2-hydroxypropylmethacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸羟丙酯

　　PS-b-P4HOS

　　Poly(styrene-b-4-hydroxyl styrene)