桥头PC塑料长期回收

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　单分子层保护的金纳米团簇(Au-MPCs)Au36(SR)24金纳簇

　　聚甲基丙烯酸修饰荧光银纳米团簇((PMAA-AgNCs)

　　磁性的GSH-AgNCs@PEI-Fe3O4

　　丙氨酸纳米银颗粒(CA-AgNPs)

　　近红外荧光金纳米团簇(LAAO-AuNCs)

　　硫普罗宁修饰的荧光金纳米团簇(TPN-Au NCs)

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　　方法1:采用水溶液聚合方法合成，原料甲基丙烯酸使用时蒸馏除去阻聚剂，过硫酸铵为引发剂，巯基乙酸为分子量调节剂。将计量的去离子水加到装有电动搅拌器、回流冷凝器、温度计和滴液漏斗的聚合反应器中，将巯基乙酸加入到反应器中与水混合均匀，开动搅拌并升高反应温度。将引发剂用计量的水配成适当的稀溶液置于聚合反应器上的滴液漏斗中，再将计量的甲基丙烯酸(MA)与计量的水配成一定比例的水溶液置于聚合反应器上的另一滴液漏斗中。

　　PnBuA-b-PAAPoly(N-butylacrylate-b-acrylic acid)聚丙烯酸正丁酯-b-聚丙烯酸

　　PANa-b-PMMA

　　Poly(Sodium Acrylate-B-Methyl Methacrylate)

　　聚丙烯酸钠-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PMMA-b-PMAA