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20世纪90年代中期,美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”(nanoimprint lithography)的新技术。
1996年,欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目,约110个研究单位参与,其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。
1997年,Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC,并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室(VNL)签订了极紫外光刻联合研发协议(CRADA)。
1998年,日本开始极紫外光刻研究工作,并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会(EUVA) 。
1962年,中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托,着手研究光刻胶,以吡啶为原料,采用热法工艺,制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。
1967年,中国第一个KPR型负性光刻胶投产。
1970年,103B型、106型两种负胶投产,环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。
3 结果与讨论3.1 PEI 与 Cr3+的配位过程 根据2.2.1所述过程, 5 m L相同浓度的Cr3+、Pb2+、Zn2+溶液用PEI溶液滴定, 电导率随消耗PEI溶液的体积的变化结果如图1所示。可以得到以下结论: (1) 在滴定过程中, 电导率随着PEI溶液的消耗而增加, 因为PEI与金属离子发生了螯合反应; (2) 对于Cr3+离子, 当PEI消耗量约为30 m L时, 出现了一个明显的转折点; (3) 对于Pb2+和Zn2+离子溶液, 当PEI用量约为20 m L时, 明确的转折点在不同的曲线上出现。说明PEI与Cr3+、Pb2+和Zn2+离子发生了螯合, 化学计量表明PEI和Cr3+比例为6∶1时, 形成了与四个配体的螯合。
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2 吸收光谱配制PEI-Cr3+混合溶液 , 移取5 m L 20 mmol/L的Cr3+溶液加入一系列容量瓶中 (水合Cr3+离子呈褐) , 分别移取不同体积的20 mmol/L的PEI溶液加入上述容量瓶中, 产生粉红的水不溶物, 用蒸馏水稀释至标线。将混合物离心, 在490~660 nm范围内测定上清液的吸收曲线 (即为剩余的水溶液中Cre离子的吸收曲线) 。3离 子 印 迹 聚 合 物 IIP-PEI/Si O2的合成及表征复合颗粒的合成过程参见文献。称取5 g吸附Cr3+之后的PEI/SiO2及10 m L的环氧氯丙烷, 加入到无水乙醇中, 室温 (20℃) 下搅拌反应30 min。随后加入10 m L 0.01 mol/L的NaOH, 继续在室温反应。, 用0.1 mol/L的盐酸洗涤颗粒, 去除模板离子, 得到Cr3+印迹聚合物 (IIP-PEI/SiO2) 了。测定离子印迹后颗粒的红外光谱, 确定其化学结构。
Poly(glutamic acid)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(glutamic acid)聚谷氨酸-b-聚乙二醇-b-聚谷氨酸mPEG-PLCL
Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethylene glycol) LA:CL 50:50
聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯