松山聚丙烯PP回收价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PMMA-b-PNPAPoly(methyl methacrylate-b-neopentylacrylate)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚新戊酯

　　PMMA-b-PNA

　　Poly(methyl methacrylate-b-n-nonylacrylate)

　　聚甲基丙烯酸-b-聚壬酯

　　PMMA-b-PHEMA

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-氨基PCLA-PEG-MAL

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  CL:LA  50:50

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-马来酰亚胺

　　PCLA-PEG-COOH

　　Poly(caprolactone-co-D,L-lactide-)-b-poly(ethyleneglycol)-Acid  CL:LA  50:50

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　　该方法水解速度慢，水解产物往往是PMMA/PMAA共聚物，同时也存在酸碱中和污染严重等问题，在实际的生产中很少采用。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)俗称有机玻璃，是一种热塑性树脂，目前已广泛应用在生活用品、家用电器、建筑、皮革、涂料等多个领域，国内PMMA 消费量年均增长保持在6％以上，到2010年，国内PMMA消费量将达20万～22万吨，在PMMA得到广泛使用的同时，也产生了大量废料，约占使用量的1 ％左右，如何将PMMA废弃物合理利用是目前需要解决的难题。

　　PEI 在SiO2上的接枝量:3.18 g/100 g;温度:20 ℃;pH=7PEI 在 SiO2上的接枝量:3.81 g/100 g;温度:20 ℃;时间:30 min;p H:7 3.4.3 选择吸附 IIP-PEI/Si O2对Cr3+/Zn2+和Cr3+/Pb2+在混合溶液中的竞争吸附, 相关分布系数kd数据、选择系数k和相对选择系数k' 如表1所示。从表1中可以看出: (1) 相对于Zn2+和Pb2+, PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数较低，分别是0.456和0.354; (2) 相对于Zn2+和Pb2+, IIP-PEI/Si O2对Cr3+的选择吸附系数较高, 分别为11.23和21.00; (3) IIP-PEI/SiO2对Cr3+/Zn2+和Cr3+/Pb2+的相对选择系数分别为24.63和59.32。上述研究结果表明I-P-PEI/Si O2对Cr3+的吸附能力较强, 远远超过对Zn2+和Pb2+的吸附。这可能是因为对Cr3+的孔穴印迹与Zn2+和Pb2+的尺寸、形状及空间结构不符。Pb2+ (120 pm) 及Zn2+ (74 pm) 比Cr3+ (64 pm) 大, 所以无法进入Cr3+的印迹孔穴中。另外, PEI与Cr3+的配体为6, 而与Pb2+和Zn2+的配体为4。所以因为与结合点不相配 , Pb2+或Zn2+与IIP-PEI/Si O2结合。