深圳硅胶废品回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　结果如图10所示。在连续5次注射后，在组中，给10mg/kg(以喜树碱含量计)的p(cpt-maa)前纳米凝胶显示出高的抑制肿瘤生长率。注射21天后，肿瘤体积(187.3±92.3mm3)显著低于pbs处理的小鼠(1354.4±283.3mm3，p<0.01)，空白pmaa纳米凝胶(1251.1±301.2mm3，p<0.01)和非还原敏感的p(cpt-maa)纳米凝胶(955.5±169.1mm3，p<0.01)，略低于p(cpt-maa)前纳米凝胶5mg/kgcpt处理的小鼠(418.3±96.2mm3，p<0.05)。给予5mg/kg游离喜树碱的组在初13天也获得良好的抗肿瘤效果，但它引起较严重的毒副作用:游离cpt组中的小鼠显示出度疼痛的状况，并且体重显着降低22％；更糟糕的是，该组中的小鼠在13天后迅速死亡。相反，用p(cpt-maa)前纳米凝胶处理的小鼠的体重和疼痛状态没有显著变化，即使给予10mg/kg的治疗剂量。

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　　PS-PBu-PS

　　Poly(styrene-b-Ethylene-butylene-b-styrene)

　　PS-PnBuA-PSPoly(styrene-b-n-butyl acrylate-b-styrene)

　　PS-PtBuA-PS

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-styrene)

　　聚乳酸-羟基乙酸-b-聚赖氨酸PS-PPBDPoly(styrene)-2-phenyl-2-propylbenzodithioate

　　mPEG-b-PGUA

　　Poly(ethylene glycol)-poly(glutamic acid)

　　聚乙二醇-b-聚谷氨酸

　　PGUA-PEG-PGUA