濠江导光板回收价格

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　HS-PCL-OHThiol-Hydroxy-terminatedpoly(ε-caprolactone)NH2-PLA-OH

　　Amino-Hydroxy terminated polylactide

　　NH2-PCL-OH

　　Amino-Hydroxy terminatedPoly(ε-caprolactone)

　　碳纳米管负载金纳米团簇Au15(SR)13小尺寸金纳米团簇

　　Cd1Au14(StBu)12合金纳米团簇

　　金刚烷硫醇保护的Au40（S-Adm）22纳米团簇

　　γ-环糊精-金属有机框架（γ-CD-MOF）

　　Au25(SR)18不同配体不同数量金纳米团簇

　　二氧化硅-BPEI-金纳米团簇

　　Au38(SR)24金团簇

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　　PEO-b-PNIPAMPoly(ethyleneoxide-b-N-isopropylacrylamide)聚氧乙烯-b-聚N-异丙基丙烯酰胺

　　PEO-b-PnM

　　Poly(ethylene oxide-b-nitrobenzylmethacrylate)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸苄

　　PEO-b-PPO

　　需要说明的是，本说明书中描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例以及不同实施例的特征进行结合和组合。近年来,分子结构清晰、可控的含有机硅链段两亲性共聚物的合成与胶束化备受关注。然而,大多数研究于含有机硅链段的两亲性嵌段共聚物,对具有亲水性主链、有机硅侧链的两亲性接枝共聚物缺乏研究。这一结构的共聚物可在溶液中形成可逆凝胶,并且可能作为一种理想的增长。