东坑ABS废料回收厂家电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PBd-b-PLLAPoly(butadiene(1,2 addition)-b-lactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-PDLLA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-D,Llactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-P4VP

　　Poly(butadiene(1,4 addition)-b-4-vinylpyridine)

　　实施例4cpt-cc-m的制备在氮气气氛下，将喜树碱(0.70g，2mmol)和三光气(0.2g，0.66mmol)共混于50ml无水二氯甲烷中，随后加入4-二甲氨基吡啶(0.73g，6mmol)，搅拌反应1小时。接着将hdoma(0.47g，2.5mmol)溶于10ml无水四氢呋喃中，逐滴加入到上述反应液中。室温下反应24小时后，过滤反应混合物，以除去不溶性盐；旋转蒸发除去溶剂。将残余物重新溶解在二氯甲烷中，分别用稀盐酸(100mmol/l)、水、饱和氯化钠溶液分别洗涤两次。收集有机层，并用无水硫酸镁干燥。浓缩上清液，以二氯甲烷/甲醇(200/1，v/v)作为洗脱液，通过二氧化硅硅胶柱分离纯化，获得淡黄的供聚合用的喜树碱单体(cpt-cc-m)。1hnmr(cdcl3，δ，ppm，tms):8.41(s，1h)，8.24(d，1h)，7.95(d，1h)，7.84(m，1h)，7.68(m，1h)，7.36(s，1h)，6.08(s，1h)，5.31(d，2h)，4.42-4.33(m，4h)，3.07-2.80(m，4h)，2.33-2.12(m，2h)，1.91(s，3h)，1.01(m，3h)。esi-msm/z:计算值为561.60；实测值为561.60[m+h]+。

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　　聚丁二烯-b-聚丙烯酸丁酯PBd-b-PMMA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-methylmethacrylate)

　　聚丁二烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PBd-b-PCL

　　Poly(butadiene(1,4addition)-b-ε-caprolactone)

　　聚丁二烯-b-聚已内酯

　　Methoxy poly(ethyleneglycol)-b-polyethyleneimine聚乙二醇-b-聚乙烯亚胺PCL-b-PEI

　　Poly(ε-caprolactone)-b-polyethyleneimine

　　聚已内酯-b-聚乙烯亚胺

　　PLGA-b-PLL

　　Poly(lactide-co-glycolide)-b-poly(lysine-Zprotected)