道滘ABS树脂回收电话

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　聚丙烯酸-b-聚丙烯酰胺PAA-PMMAPoly(Acrylic Acid-B-Methyl Methacrylate)

　　聚丙烯酸-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PAA-PIPA

　　Poly(acrylic acid-b-N-isopropylacrylamide)

　　聚丙烯酸-b-聚N-异丙基丙烯酰胺

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　　PLCL-PEG-PLCL，LA:CL 50:50

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(lactide-co-caprolactone)

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯PLCL-PEG-MAL

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethyleneglycol)-MAL  LA:CL 50:50

　　高量子产率金纳米团簇(CR-AuNCs)水溶性手性金纳米团簇(L-NIBC-AuNCs和D-NIBC-AuNCs)平均粒径小于2 nm

　　金纳米团簇-NFC复合物siRNA(GNC–siRNA)

　　剥离型环氧树脂/纳米复合材料

　　小粒径四氧化三铁纳米团簇

　　聚丙烯酸(PAA)修饰四氧化三铁纳米团簇(Fe3O4NCs)