新会PS吸塑回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　在本研究中, 我们在硅胶颗粒表面采用的表面印迹技术改性:首先是功能大分子聚乙烯亚胺 (PEI) 通过耦合接枝法接枝到硅胶颗粒表面;其次, 采用Cr3+作为模板分子, 环氧氯丙烷作为交联剂, 合成出离子 印迹聚合 物 (IIP-PEI/Si O2) 。采用静态及动态法研究了IIP-PEI/Si O2对Cr3+的吸附性能。2.1 材料及仪器 硅胶 (120~160目, 粒径约为125 um, 孔径:6 nm, 孔体积:1.0 m L/g, 表面积:350 m2/g) 从大洋化学有限公司购买。PEI (Mw=1×104~2×104) 从强龙化学有限公司购买。

　　聚异丁烯-b-聚乙烯基吡啶PS-b-PBPA

　　Poly(styrene-b-benzyl propylacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸苄酯

　　PS-b-PBd

　　Poly(styrene-b-butadiene(1,2 addition))

　　聚苯乙烯-b-聚丁二烯

　　PS-PCHMA

　　新会PS吸塑回收公司

　　进行了5 m L相同浓度的Cr3+溶液与不同体积的PEI溶液的反应, 上清液的吸附光谱如图2所示。从图2可以看出, 体系的吸光度 (剩余Cr3+离子的吸光度) 随着加入的PEI溶液的增加逐渐降低, 当PEI溶液体积达到30 m L时 (曲线h) , PEI加入量与Cr3+分子比为6∶1, 体系的吸光度达到小值, A=0, 表明Cr3+已被耗尽;随后, 继续增加PEI的体积, 体系的吸光度仍为0, 曲线i和曲线h叠加。实验结果表明PEI大分子上氨基的N原子与Cr3+的配位呈定量, 化学计量比为6∶1, 配位体的螯合数为6。

　　PMA在医疗领域的应用也日益广泛。由于其制成的聚合物材料具有良好的生物相容性和透明度，PMA被用于制造多种医疗器械和用品，如隐形眼镜、牙科填充材料和人工关节等。是在隐形眼镜的制造中，PMA制成的镜片具有的透氧性和舒适性，为用户提供了的佩戴体验。在电子工业中，PMA被用作电器元件的保护涂层。其的缘性能和耐化学腐蚀性，使得PMA成为电子元件保护涂层的理想选择。通过在电路板和其他电子元件表面涂覆PMA，可以有效环境因素对电子元件的损害，延长其使用寿命。