龙湖吸塑回收电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PS-PtBuA-PMMA

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-methylmethacrylate)

　　PS-PIP-PGMAPoly(styrene-b-isoprene-b-glycidylmethacrylate)

　　PS-P2VP-PEO

　　Poly(styrene-b-2-vinyl pyridine-b-ethyleneoxide)

　　该纳米凝胶的谷胱甘肽还原响应性能的表征结果如图4所示。可以发现，用10mmgsh处理48h后，p(cpt-maa)前纳米凝胶的蓝荧光消失，表明cpt可以被gsh刺激释放。而非还原响应的p(cpt-maa)纳米凝胶相同处理后，蓝荧光没有消失。此外，通过hplc分析与10mmgsh孵育后的p(cpt-maa)前纳米凝胶的介质，可以发现与游离cpt相同保留时间的峰出现，表明从p(cpt-maa)前纳米凝胶中释放出cpt。这与cpt-ss-m与10mmgsh孵育时的现象相同。表明了该p(cpt-maa)前纳米凝胶具有良好的谷胱甘肽还原性能。

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　　分子印迹技术一般包括以下几个步骤:①在一定溶剂中,具有适当功能基团的功能单体通过与模板分子间的相互作用聚集在模板分子周围,形成稳定的复合物。②加入交联剂后,过量的交联剂使得功能单体上的功能基团在特定的空间取向上固定。③将聚合物中的印迹分子洗脱或解离出来得到分子印迹聚合物(见下图)。2 分子印迹聚合物及其制备 分子印迹聚合物是分子印迹技术的核心。简单地说,它是一种人工合成的利用分子印迹技术制备的高分子聚合物。该聚合物拥有与模板分子大小和形状相匹配的立体孔穴,同时孔穴中包含了排列的与特定结构的模板分子官能团互补的活性基团。所以分子印迹聚合物具有特异“记忆”功能基团。MIP的制备方法通常有本体聚合、沉淀聚合、表面印迹、溶胶凝胶、两步溶胀等方法。

　　PS-b-PPAAPoly(styrene-b-propylacrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙基丙烯酸酸

　　PDMS-b-PAA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-acrylic acid)

　　聚二甲基硅氧烷-b-聚丙烯酸

　　PDMS-b-PEO

　　Poly(dimethylsiloxane-b-ethylene oxide)