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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b- n-butylacrylate)P2VN-PMMA

　　Poly(2-vinyl naphthalene-b- methylmethacrylate)

　　P2VP-PMMA

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-methylmethacrylate)

　　P4VP-PMMA

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　　纳米凝胶在物递送的应用中具有多种优势，如长循环性，良好的柔韧性，较高的溶解度，较大的物负载效率，增强的生物利用度，制备方法简单，易于修饰，具有被动靶向能力等。因此，开发喜树碱的纳米凝胶，将其应用于肿瘤的治疗，具有重要意义。技术实现要素:

　　本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提供喜树碱前凝胶，本发明的目的还在于提供该喜树碱前凝胶的制备方法和用途。

　　聚乙烯亚胺 (PEI) 是一种典型的水溶性聚胺, 在大分子链上有大量的氮原子, 因此可以对重金属离子产生较强的螯合力。PEI的特点被广泛应用于重金属离子的吸附分离 过程中。在我们前期的研究中, 设计了重金属离子吸附材料的化学结构, 在氯丙基三甲氧基硅烷的耦合作用下, PEI被接枝到硅胶表面, PEI对重金属离子较强的螯合作用与硅胶的高比表面积及较好 的力学性能结 合起来, 合成出了新型的螯合吸附材料PEI/Si O2。研究结果表明, 这种材料对Cu2+和Cd2+等具有优良的吸附性能。因此, 对于将功能聚合物接枝到无机颗粒表面合成复合型功能颗粒而言, 这是一种很好的反应路线。基于前期的研究, 本文进一步研究了功能材料的合成路线。