大涌聚丙烯PP回收公司

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　2 吸收光谱配制PEI-Cr3+混合溶液 , 移取5 m L 20 mmol/L的Cr3+溶液加入一系列容量瓶中 (水合Cr3+离子呈褐) , 分别移取不同体积的20 mmol/L的PEI溶液加入上述容量瓶中, 产生粉红的水不溶物, 用蒸馏水稀释至标线。将混合物离心, 在490~660 nm范围内测定上清液的吸收曲线 (即为剩余的水溶液中Cre离子的吸收曲线) 。3离 子 印 迹 聚 合 物 IIP-PEI/Si O2的合成及表征复合颗粒的合成过程参见文献。称取5 g吸附Cr3+之后的PEI/SiO2及10 m L的环氧氯丙烷, 加入到无水乙醇中, 室温 (20℃) 下搅拌反应30 min。随后加入10 m L 0.01 mol/L的NaOH, 继续在室温反应。, 用0.1 mol/L的盐酸洗涤颗粒, 去除模板离子, 得到Cr3+印迹聚合物 (IIP-PEI/SiO2) 了。测定离子印迹后颗粒的红外光谱, 确定其化学结构。

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　　进一步优选地，所述原料的重量配比为:喜树碱前50份、甲基丙烯酸450份、交联剂55.6份、引发剂16.8份；喜树碱前:甲基丙烯酸的质量比为1:(4～19)；

　　喜树碱前:交联剂的质量比为50:(26.3～125)；

　　喜树碱前:引发剂的质量比为50:(8.4～33.6)。

　　进一步地，所述交联剂选自甲叉双丙烯酰胺、n,n'-双(丙烯酰)胱胺中一种或两种。

　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。