凤岗PS水口料回收多少钱一吨

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　聚异丁烯-b-聚乙烯基吡啶PS-b-PBPA

　　Poly(styrene-b-benzyl propylacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸苄酯

　　PS-b-PBd

　　Poly(styrene-b-butadiene(1,2 addition))

　　聚苯乙烯-b-聚丁二烯

　　PS-PCHMA

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　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-叶酸

　　PLAL-mPEG

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)   LA:AL 50:50

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇PLAL-PEG-PLAL

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Poly(lactide-co-allyl lactide) LA:AL 50:50

　　3 分子印迹技术的膜和材料制备方面的应用3.1 新的膜制备技术 (1)多层自组装膜 通过化合物分子之间不同的作用力结合而成。这种作用力主要包括共价或配位作用、氢键、静电力、疏水作用力、π2π堆积作用以及阳离子π吸附作用。多层自组装印迹膜是在印迹聚合物表面通过不同的作用力结合形成膜,然后反复在聚合物混合溶液中进行自组装,形成多层膜结构,将印迹分子洗脱,得到多层自组装印迹膜。自组装方法包括共价(或配位)自组装、氢键自组装、静电自组装。张希等报道了用光交联法和多层膜自组装方法制备的以5、10、15、202四甲基氨基苯21H、23H卟琳为印迹分子的多层自组装印迹膜,与其他方法制备的印迹膜相比具有较高的识别能力。