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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　二亲嵌段共聚物列表:PS-b-PAA

　　polystyrene-block-poly(acrylic acid)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸

　　PS-b-PMMA

　　Polystyrene-block-Poly(methyl methacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PS-b-PEG

　　分子印迹技术一般包括以下几个步骤:①在一定溶剂中,具有适当功能基团的功能单体通过与模板分子间的相互作用聚集在模板分子周围,形成稳定的复合物。②加入交联剂后,过量的交联剂使得功能单体上的功能基团在特定的空间取向上固定。③将聚合物中的印迹分子洗脱或解离出来得到分子印迹聚合物(见下图)。2 分子印迹聚合物及其制备 分子印迹聚合物是分子印迹技术的核心。简单地说,它是一种人工合成的利用分子印迹技术制备的高分子聚合物。该聚合物拥有与模板分子大小和形状相匹配的立体孔穴,同时孔穴中包含了排列的与特定结构的模板分子官能团互补的活性基团。所以分子印迹聚合物具有特异“记忆”功能基团。MIP的制备方法通常有本体聚合、沉淀聚合、表面印迹、溶胶凝胶、两步溶胀等方法。

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　　实施例7还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-2的制备将cpt-ss-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，n,n'-双(丙烯酰)胱胺(bacy，55.6mg)和偶氮二异丁腈(16.8mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为90.8±0.6％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为1146±189nm，pdi为0.735，粒径均匀度较还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-1有所降低，其电位为-20.0±1.0mv。该纳米凝胶的扫描电镜结果如图5所示。

　　测定波长:370nm，柱温:30℃；流动相:甲醇/水，80/20，v/v；流速:1ml/min。

　　此外，对该纳米凝胶的ph表征结果如图3所示。可以看出，随着酸度的增加，纳米凝胶的粒径减小。在高ph条件下，羧基被离子化为羧酸根离子，这增强了分子之间的静电排斥，因此导致直径增加。当ph值高于8.0时，直径保持恒定约550nm。相反，羧酸基团的质子化和低ph值的分子内氢键的形成导致直径减小。然而，过度的质子化将导致系统不稳定并容易形成沉淀。当ph值从4.5到3.5时，直径急剧增加到5400nm，溶液变浑浊并且相应地观察到一些沉淀。考虑到肿瘤细胞中较低的ph值，p(cpt-maa)前纳米凝胶的这种ph响应性质有利于加速纳米凝胶中负载的物释放。