濠江POM塑胶废品回收价格

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　Poly(styrene)-block-poly(ethylene glycol)聚苯乙烯-b-聚乙二醇

　　PDLLA-b-PAA

　　Poly(D,L-lactide-block-acrylic acid)

　　DL型聚乳酸-b-聚丙烯酸

　　PGA-PEG-PGA

　　Polyglycolide-block-poly(ethyleneglycol)-block-polyglycolide

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　　Gauczinski等[4]将模板分子茶碱接枝到聚 (丙烯酸) 主链上, 通过对紫外线敏感的重氮聚阳离子用紫外光引发聚合, 在硅胶表面形成层层印迹薄膜, 制备了茶碱SSMIP。该SSMIP对与茶碱一个官能团差异的结构类似物咖啡因也显示出很好的结合特性。Yang等[5]以3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (APTES) 为硅烷偶联剂和单体, 以青蒿素为模板, 以四乙氧硅烷 (TEOS) 为交联剂, 在硅胶表面通过接枝共聚法制备了青蒿素SSMIP。SSMIP对青蒿素的大吸附量为40.0mg/g。印迹因子和选择性系数分别为2.0和1.5。吸附在3.5h可以达到平衡, 在超临界CO2流体中SSMIP对青蒿素的吸附容量可以达到120.0mg/g。

　　聚丙烯酸-b-聚丙烯酰胺PAA-PMMAPoly(Acrylic Acid-B-Methyl Methacrylate)

　　聚丙烯酸-b-聚甲基丙烯酸甲酯

　　PAA-PIPA

　　Poly(acrylic acid-b-N-isopropylacrylamide)

　　聚丙烯酸-b-聚N-异丙基丙烯酰胺