光明废硅胶回收厂家电话

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　Poly(4-vinyl pyridine-b-methylmethacrylate)P2VN-PCL

　　Poly(2-vinyl pyridine-b-ε-caprolactone)

　　PPO-PCL

　　Poly (propylene oxide-b-ε-caprolactone)

　　PDMS-PnBuA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-n-butyl acrylate)PDMS-PtBuA

　　PS-PBu-PS

　　Poly(styrene-b-Ethylene-butylene-b-styrene)

　　PS-PnBuA-PSPoly(styrene-b-n-butyl acrylate-b-styrene)

　　PS-PtBuA-PS

　　Poly(styrene-b-t-butyl acrylate-b-styrene)

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　　优选地，重复所述纯化步骤三次。本发明提供了所述喜树碱前凝胶的制备方法，包括如下步骤:取喜树碱前、甲基丙烯酸、交联剂和引发剂，分散于反应溶剂中，于保护气氛下反应，即得。

　　本发明提供了所述喜树碱前凝胶在制备治疗和/或预防癌症的物中的用途。

　　优选地，所述的癌症为肝癌。

　　优选地，所述的物为注射制剂或口服制剂。

　　本发明提供了治疗和/或预防癌症的物组合物，它是以所述的喜树碱前凝胶为活性成分，加入或不加入学上可接受的辅料或者辅助性成分制备而成的制剂。

　　Gong等[8]将乙烯基三乙氧基硅烷 (VTES) 嫁接到硅胶表面, 以青蒿素为模板, 丙烯酰胺 (AM) 和MAA为功能单体, EGDMA为交联剂, 通过2, 2-偶氮-2-异丁腈 (AIBN) 热引发聚合制备了青蒿素SSMIP。该SSMIP吸附在约10h达到平衡, 大吸附容量为37.13 mg/g, 对结构类似物蒿甲醚、蒿乙醚的分离系数分别为2.88和3.38。笔者课题组以对叔辛基苯酚 (PTOP) 为模板、MAA为单体, 活化硅胶为载体, 制备了PTOP-SSMIP[9]。该SSMIP对PTOP具有较大的吸附容量和良好的选择性, 其大吸附量约为86.12mg/g。同时在通过水解TEOS制得的二氧化硅微粒表面, 以乙烯基三甲氧基硅烷 (VTTS) 为接枝剂, 壬基酚 (NP) 为模板, MAA为功能单体, 制备了NP-SSMIP (如图1所示) [10]。该SSMIP对NP具有良好的结合亲和性, 大结合量可达184.6mg/g, 明显高于其结构类似物对叔辛基苯酚和双酚A, 表现出较高的选择性识别能力, 且与在市售硅胶 (70~230目) 表面制备的壬基酚和双酚A印迹聚合物的大吸附量 (壬基酚3.8mg/g, 双酚A 60.03mg/g、37.13mg/g) 相比均有明显的提高。这主要得益于TEOS水解制备的二氧化硅微粒粒径小且分散性好, 有效增大了SSMIP的比表面积, 从而使所制备的印迹微球对目标物有较高的吸附容量。