南沙TPU塑胶回收价格

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　硅表面分子印迹聚合物 (SSMIP) 是在硅材料表面制备的对目标分子具有高选择性和高吸附量的分子印迹聚合物。SSMIP一般具有以下优势: (1) 通过硅胶能够得到尺寸和形状可控、单分散性好的MIP; (2) 硅材料的力学稳定性和热稳定性较好, 能够提高MIP的力学性能和耐用性; (3) 由于印迹只发生在硅材料的表面, 可以有效减少包埋现象, 有利于模板分子的洗脱和识别, 提高了模板分子的利用率[1,2]。因此, SSMIP引起了研究者的广泛关注。1949年Dickey[3]用染料甲基橙作为模板分子, 制得对甲基橙吸附能力比乙基橙高2倍的吸附材料, 这项研究揭开了SSMIP的崭新一页。至今, 关于SSMIP的研究文献达上千篇, 近年来更是呈现急剧增加的态势。本文着重综述SSMIP制备方法的研究进展, 并简要介绍SSMIP的应用情况。

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　　Poly(dimethylsiloxane-b-t-butyl methacrylate)

　　PDMS-PEEMA

　　Poly(dimethylsiloxane-b-1-ethoxy ethylmethacrylate)

　　PDMS-PCLPoly(dimethylsiloxane-b-ε-caprolactone)

　　PDMS-PLA

　　试验例2体外细胞毒性测试选择人肝癌细胞hepg2和成纤维细胞l929以研究纳米凝胶的细胞毒性。将细胞在含有10％fbs和抗生素(青霉素和链霉素，100u/ml)的dmem培养基中，于37℃在含有5％co2的潮湿气氛中温育。

　　使用mtt测定法在l929细胞和hepg2细胞上测试细胞毒性。简而言之，将对数期的细胞接种到96孔板中。在100μldmem中孵育24小时后，将在100μldmem中具有不同浓度的一系列p(cpt-maa)前纳米凝胶(根据实施例6制备)加入每个孔中并进一步孵育24,48和72小时。在预定时间点，用200μl新鲜dmem替换培养基，加入20μlmtt溶液(5mg/ml，在生理盐水中)。进一步温育4小时后，弃去培养基并用150μldmso替换。摇动后，通过酶标仪在570nm处测量每个孔的光密度(od)。结果在六个单独的实验中取平均值，并表示为平均值±sd。细胞活力(cv)计算如下等式:cv(％)＝od(处理的)/od(未处理的)×100％。此外，如上所述评估空白纳米凝胶(根据实施例16制备)的细胞毒性。