深圳TPU/TPR/TPE回收公司

　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　Poly(glutamic acid)-b-poly(ethyleneglycol)-b-poly(glutamic acid)聚谷氨酸-b-聚乙二醇-b-聚谷氨酸mPEG-PLCL

　　Poly(lactide-co-caprolactone)-b-poly(ethylene glycol)  LA:CL 50:50

　　聚乙二醇-b-聚乳酸-聚已内酯

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　　该方法水解速度慢，水解产物往往是PMMA/PMAA共聚物，同时也存在酸碱中和污染严重等问题，在实际的生产中很少采用。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)俗称有机玻璃，是一种热塑性树脂，目前已广泛应用在生活用品、家用电器、建筑、皮革、涂料等多个领域，国内PMMA 消费量年均增长保持在6％以上，到2010年，国内PMMA消费量将达20万～22万吨，在PMMA得到广泛使用的同时，也产生了大量废料，约占使用量的1 ％左右，如何将PMMA废弃物合理利用是目前需要解决的难题。

　　从图10中可以看出, 初的饱和吸附量随物料比而递增, 原因是在增加ECH用量时, Si O2聚合层上的印迹空穴数量在增加, 因此IIP-PEI/Si O2的平衡吸附量增大。当ECH与N原子的摩尔比大于0.51后, IIP-PEI/Si O2的平衡吸附量增大, 即保持常数。 这个结果 表明IIP-PEI/Si O2的伯胺基、仲胺基在ECH与N原子物料 比为0.51的物料比的情况下与交联剂ECH反应, 并且可通过红外光谱来明。因此在这样的条件下, 当PEI/Si O2上形成的空穴数量达到限值时, 它不会再随PEI/Si O2的增加而增加, 并且IIP-PEI/Si O2的吸附量将保持不变。