金园通用塑料回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PBd-b-PLLAPoly(butadiene(1,2 addition)-b-lactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-PDLLA

　　Poly(butadiene(1,2 addition)-b-D,Llactide)

　　聚丁二烯-b-聚乳酸

　　PBd-b-P4VP

　　Poly(butadiene(1,4 addition)-b-4-vinylpyridine)

　　2 吸收光谱配制PEI-Cr3+混合溶液 , 移取5 m L 20 mmol/L的Cr3+溶液加入一系列容量瓶中 (水合Cr3+离子呈褐) , 分别移取不同体积的20 mmol/L的PEI溶液加入上述容量瓶中, 产生粉红的水不溶物, 用蒸馏水稀释至标线。将混合物离心, 在490~660 nm范围内测定上清液的吸收曲线 (即为剩余的水溶液中Cre离子的吸收曲线) 。3离 子 印 迹 聚 合 物 IIP-PEI/Si O2的合成及表征复合颗粒的合成过程参见文献。称取5 g吸附Cr3+之后的PEI/SiO2及10 m L的环氧氯丙烷, 加入到无水乙醇中, 室温 (20℃) 下搅拌反应30 min。随后加入10 m L 0.01 mol/L的NaOH, 继续在室温反应。, 用0.1 mol/L的盐酸洗涤颗粒, 去除模板离子, 得到Cr3+印迹聚合物 (IIP-PEI/SiO2) 了。测定离子印迹后颗粒的红外光谱, 确定其化学结构。

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　　该方法水解速度慢，水解产物往往是PMMA/PMAA共聚物，同时也存在酸碱中和污染严重等问题，在实际的生产中很少采用。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)俗称有机玻璃，是一种热塑性树脂，目前已广泛应用在生活用品、家用电器、建筑、皮革、涂料等多个领域，国内PMMA 消费量年均增长保持在6％以上，到2010年，国内PMMA消费量将达20万～22万吨，在PMMA得到广泛使用的同时，也产生了大量废料，约占使用量的1 ％左右，如何将PMMA废弃物合理利用是目前需要解决的难题。

　　载量研究表明，物的载量也会对释速率产生影响。阿霉素于聚丙交酯/ 聚乙二醇/聚丙交酯( PLLA-b-PEO-b-PLLA) 胶束中载量为1 %和3%时，分别在6、8天释放了50 %、17%的物。静电作用法制备的胶束

　　静电作用法制备的胶束通过物与生理介质中游离的离子或蛋白交换释。强疏水的胶束核可加强核与物的静电作用,通过使物与介质中的离子交换受阻达到缓释。通过静电作用法制备了顺铂的PEO-b-P(Asp) 载胶束,体外释实验表明物在20 h后释放了50%。增加聚合物中疏水片段P(Asp) 的比例，物释放速度进一步降低。采用更为疏水的聚氧乙烯-b-聚谷氨 酸(PEO-b-P(Glu) ) 作为载体,物的释放持续了150 h。