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　　1942年，英国Eisler发明印刷电路板 [39]，重铬酸盐感光材料作为光敏抗蚀剂用于制造印刷线路板。重铬酸在紫外光作用下还原成三价铬离子，三价铬离子可和水溶性聚合物中的羰基、胺基、羟基等作用形成不溶的配位络合物。

　　1943年，美国杜邦公司提交了世界第一份有关光引发剂的发明专利，尽管这种二硫代氨基甲酸酯化合物感光活性较低，后来也未能转化为实际应用，但确实开启了一种全新的聚合物材料加工技术。

　　1948年，美国专利中出现第一个光固化油墨配方和实施技术的专利。

　　1949年德国Kalle公司首先开发成功紫外正性光刻胶。

　　1954年，由柯达公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为第一个光固化性能的光刻胶 [39]，牌号KPR。先用于印刷工业，后用于电子工业。

　　1958年，柯达公司发展出了叠氮-橡胶系的负性光刻胶 ，牌号为KMER和KTFR。

　　分子印迹纳米材料纳米材料是指三维尺度中有一维以上处于纳米量级(1～100nm),即由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。纳米材料与传统材料相比有较低的熔点、较小的体积、巨大的比表面积、强化学活性和催化活性,此外其还有的比热、光学、电学、磁学、力学等一系列优良的性能。 分子印迹技术利用纳米材料巨大的比表面积制备印迹聚合物,可以充分地暴露印迹识别位点,大大减少吸附过程当中的传质阻力,增强吸附过程的动力学特征,进而提高吸附量。纳米分子印迹聚合物的形式主要为纳米粒子、纳米管和纳米膜。张忠平等以硅为基质通过溶胶凝胶反应分别制得了对TNT有特异性识别的纳米粒子。其制得的纳米粒印迹材料的印迹位点密度大约为普通印迹材料的5倍。其动力学研究表面,纳米印迹粒子达到平衡所用的时间也只为普通印迹材料的1/3。

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　　胶束的制备方法物分子与聚合物的疏水链官能团在一定条件下发生化学反应，将物共价结合在聚合物上，从而有效控制物释放速度。此法需要合适的官能团方能进行

　　反应,应用受到一定限制。等合成了聚(DL-乳酸-共-羟乙酸)-b-聚乙二醇(PLGA-PEG)共聚物，将阿霉素共价连接到PLGA 。化学结合法胶束载量高于物理包埋法。

　　利用胶束疏水内核和难溶物的疏水相互作用及氢键力，将物增溶于聚合物胶束中。主要包括以下五种制备方法

　　进行了5 m L相同浓度的Cr3+溶液与不同体积的PEI溶液的反应, 上清液的吸附光谱如图2所示。从图2可以看出, 体系的吸光度 (剩余Cr3+离子的吸光度) 随着加入的PEI溶液的增加逐渐降低, 当PEI溶液体积达到30 m L时 (曲线h) , PEI加入量与Cr3+分子比为6∶1, 体系的吸光度达到小值, A=0, 表明Cr3+已被耗尽;随后, 继续增加PEI的体积, 体系的吸光度仍为0, 曲线i和曲线h叠加。实验结果表明PEI大分子上氨基的N原子与Cr3+的配位呈定量, 化学计量比为6∶1, 配位体的螯合数为6。