金园PE膜回收公司

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　PDMS-b-PMAA（聚二甲基硅氧烷-聚丙烯酸嵌段共聚物）结合了PDMS（聚二甲基硅氧烷）的柔性、疏水性与PMAA（聚丙烯酸）的亲水性、离子交换特性，因而在多个领域具有的应用。在物递送领域，PDMS-b-PMAA被用于制备响应性纳米载体。PMAA部分的酸性基团在不同pH环境下能够发生离子化或去离子化反应，因此能根据环境的变化调节物的释放速度。这种pH响应型的特性使其在肿瘤治疗中有效，因为肿瘤细胞区域通常呈现酸性环境，物能够在该区域迅速释放。此外，PDMS部分的柔性和疏水性使得载体的结构更加稳定，提高了载体的生物相容性和物的携带能力。

　　聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚丙烯酸PNPMA-b-PMAAPoly(neopentyl methacrylate-b-methacrylicacid)

　　新戊酯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-b-PAA

　　Poly(ethylene oxide-b-acrylic acid)

　　聚氧乙烯-b-聚丙烯酸

　　PEO-b-PAMD

　　金园PE膜回收公司

　　PEO-PBd-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-butadiene-b-ethyleneoxide)

　　PS-PAA-PSPoly(styrene-b-acrylic acid-b-styrene)

　　PS-PBd-PS

　　Poly(styrene-b-butadiene (1,4 addition)-b-styrene)

　　2 吸收光谱配制PEI-Cr3+混合溶液 , 移取5 m L 20 mmol/L的Cr3+溶液加入一系列容量瓶中 (水合Cr3+离子呈褐) , 分别移取不同体积的20 mmol/L的PEI溶液加入上述容量瓶中, 产生粉红的水不溶物, 用蒸馏水稀释至标线。将混合物离心, 在490~660 nm范围内测定上清液的吸收曲线 (即为剩余的水溶液中Cre离子的吸收曲线) 。3离 子 印 迹 聚 合 物 IIP-PEI/Si O2的合成及表征复合颗粒的合成过程参见文献。称取5 g吸附Cr3+之后的PEI/SiO2及10 m L的环氧氯丙烷, 加入到无水乙醇中, 室温 (20℃) 下搅拌反应30 min。随后加入10 m L 0.01 mol/L的NaOH, 继续在室温反应。, 用0.1 mol/L的盐酸洗涤颗粒, 去除模板离子, 得到Cr3+印迹聚合物 (IIP-PEI/SiO2) 了。测定离子印迹后颗粒的红外光谱, 确定其化学结构。