珠海pet卷膜上门收购

　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　进行了5 m L相同浓度的Cr3+溶液与不同体积的PEI溶液的反应, 上清液的吸附光谱如图2所示。从图2可以看出, 体系的吸光度 (剩余Cr3+离子的吸光度) 随着加入的PEI溶液的增加逐渐降低, 当PEI溶液体积达到30 m L时 (曲线h) , PEI加入量与Cr3+分子比为6∶1, 体系的吸光度达到小值, A=0, 表明Cr3+已被耗尽;随后, 继续增加PEI的体积, 体系的吸光度仍为0, 曲线i和曲线h叠加。实验结果表明PEI大分子上氨基的N原子与Cr3+的配位呈定量, 化学计量比为6∶1, 配位体的螯合数为6。

　　实施例12-((2-羟乙基)二硫烷基)乙基甲基丙烯酸酯(hsema)的制备将2,2'-二硫二乙醇(1.54g，10mmol)和三乙胺(1.52g，15mmol)溶解于50ml无水四氢呋喃中，冰水浴条件下冷却至0℃。将甲基丙烯酰氯(1.05,10mmol)溶于25ml无水四氢呋喃，剧烈搅拌下逐滴缓慢加入上述反应液中。室温下反应过夜，过滤除不溶性盐；然后，旋转蒸发以除去溶剂。将得到的粗产品用50ml乙酸乙酯稀释，并用水、饱和氯化钠溶液分别洗涤三次，以除去未反应的原料中杂质。分离收集有机相，用无水硫酸镁干燥。旋转蒸发浓缩溶液，然后通过二氧化硅柱分离纯化，流动相为乙酸乙酯/石油醚(1/3，v/v)，得到纯的2-((2-羟乙基)二硫烷基)乙基甲基丙烯酸酯(hsema)。1h-nmr(cdcl3，δ，ppm，tms):6.14(s，1h)，5.60(s，1h)，4.43(t，2h)，3.90(t，2h)，2.98(t，2h)，2.89(t,2h)，1.95(s，3h)。

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　　聚丁二烯-b-聚乙烯基吡啶PIB-b-PtBuMA

　　Poly(isobutylene-b-t-butyl methacrylate)

　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸丁酯

　　PIB-b-PMMA

　　Poly(isobutylene-b-methyl methacrylate)

　　聚异丁烯-b-聚甲基丙烯酸

　　PEO-PBd-PEO

　　Poly(ethylene oxide-b-butadiene-b-ethyleneoxide)

　　PS-PAA-PSPoly(styrene-b-acrylic acid-b-styrene)

　　PS-PBd-PS

　　Poly(styrene-b-butadiene (1,4 addition)-b-styrene)