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1960年,出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。
1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。
1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。
1976年,美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。
1989年,日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术(EUVL)。
1990年后,开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。
1992年,IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂,而且在193 nm有较好的透光性 。
Gong等[8]将乙烯基三乙氧基硅烷 (VTES) 嫁接到硅胶表面, 以青蒿素为模板, 丙烯酰胺 (AM) 和MAA为功能单体, EGDMA为交联剂, 通过2, 2-偶氮-2-异丁腈 (AIBN) 热引发聚合制备了青蒿素SSMIP。该SSMIP吸附在约10h达到平衡, 大吸附容量为37.13 mg/g, 对结构类似物蒿甲醚、蒿乙醚的分离系数分别为2.88和3.38。笔者课题组以对叔辛基苯酚 (PTOP) 为模板、MAA为单体, 活化硅胶为载体, 制备了PTOP-SSMIP[9]。该SSMIP对PTOP具有较大的吸附容量和良好的选择性, 其大吸附量约为86.12mg/g。同时在通过水解TEOS制得的二氧化硅微粒表面, 以乙烯基三甲氧基硅烷 (VTTS) 为接枝剂, 壬基酚 (NP) 为模板, MAA为功能单体, 制备了NP-SSMIP (如图1所示) [10]。该SSMIP对NP具有良好的结合亲和性, 大结合量可达184.6mg/g, 明显高于其结构类似物对叔辛基苯酚和双酚A, 表现出较高的选择性识别能力, 且与在市售硅胶 (70~230目) 表面制备的壬基酚和双酚A印迹聚合物的大吸附量 (壬基酚3.8mg/g, 双酚A 60.03mg/g、37.13mg/g) 相比均有明显的提高。这主要得益于TEOS水解制备的二氧化硅微粒粒径小且分散性好, 有效增大了SSMIP的比表面积, 从而使所制备的印迹微球对目标物有较高的吸附容量。
PBd-b-PLLAPoly(butadiene(1,2 addition)-b-lactide)
聚丁二烯-b-聚乳酸
PBd-b-PDLLA
Poly(butadiene(1,2 addition)-b-D,Llactide)
聚丁二烯-b-聚乳酸
PBd-b-P4VP
Poly(butadiene(1,4 addition)-b-4-vinylpyridine)
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PS-PCL-PS
Poly(styrene-b-ε-caprolactone-b-styrene)
P2VP-PBd-P2VPPoly(2-vinylpyridine-b-butadiene(1,2addition)-b-2-vinylpyridine)
P2VP-PS-P2VP
Poly(2-vinyl pyridine-b-styrene-b-2-vinylpyridine)
PMA,中文名称为丙烯酸甲酯(MethylMethacrylate),是一种无透明的液体,具有刺激性气味。它是丙烯酸类单体中的重要成员,常用于合成各种聚合物材料。PMA在工业上的应用广泛,尤其是在塑料、涂料、粘合剂等领域具有重要。我们将深入探讨PMA的化学性质及其在不同工业中的具体应用。PMA的化学性质 丙烯酸甲酯具有许多的化学性质,使其成为一种有价值的化工原料。PMA的分子结构中含有一个活泼的双键,这使其在聚合反应中活跃。PMA可以通过自由基聚合、阳离子聚合和阴离子聚合等多种方式进行聚合,生成不同性质的聚合物。