坪山PC/ABS塑料回收电话

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　实施例4cpt-cc-m的制备在氮气气氛下，将喜树碱(0.70g，2mmol)和三光气(0.2g，0.66mmol)共混于50ml无水二氯甲烷中，随后加入4-二甲氨基吡啶(0.73g，6mmol)，搅拌反应1小时。接着将hdoma(0.47g，2.5mmol)溶于10ml无水四氢呋喃中，逐滴加入到上述反应液中。室温下反应24小时后，过滤反应混合物，以除去不溶性盐；旋转蒸发除去溶剂。将残余物重新溶解在二氯甲烷中，分别用稀盐酸(100mmol/l)、水、饱和氯化钠溶液分别洗涤两次。收集有机层，并用无水硫酸镁干燥。浓缩上清液，以二氯甲烷/甲醇(200/1，v/v)作为洗脱液，通过二氧化硅硅胶柱分离纯化，获得淡黄的供聚合用的喜树碱单体(cpt-cc-m)。1hnmr(cdcl3，δ，ppm，tms):8.41(s，1h)，8.24(d，1h)，7.95(d，1h)，7.84(m，1h)，7.68(m，1h)，7.36(s，1h)，6.08(s，1h)，5.31(d，2h)，4.42-4.33(m，4h)，3.07-2.80(m，4h)，2.33-2.12(m，2h)，1.91(s，3h)，1.01(m，3h)。esi-msm/z:计算值为561.60；实测值为561.60[m+h]+。

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　　聚(N-乙烯基-2-吡咯烷酮)修饰金纳米团簇PVP-AuNCs胰岛素修饰红荧光金纳米团簇

　　超高荧光量子产率近红外金纳米团簇

　　AIE效应的金纳米团簇

　　聚集导发光效应金纳米团簇

　　不同金数量的纳米金团簇

　　Au144(SR)60金纳米团簇

　　环糊精修饰金纳米团簇（单金属）

　　卟啉修饰金纳米团簇

　　聚异丁烯-b-聚乙烯基吡啶PS-b-PBPA

　　Poly(styrene-b-benzyl propylacrylate)

　　聚苯乙烯-b-聚丙烯酸苄酯

　　PS-b-PBd

　　Poly(styrene-b-butadiene(1,2 addition))

　　聚苯乙烯-b-聚丁二烯

　　PS-PCHMA