神湾PS废料回收厂家

　　20世纪90年代中期，美国明尼苏达大学纳米结构实验室提出了一种叫做“纳米压印成像”（nanoimprint lithography）的新技术。

　　1996年，欧洲主要成立了4个极紫外光刻相关研究项目，约110个研究单位参与，其中比较重要的项目为MEDEA和MORE MOORE。

　　1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并与由LBNL、LLNL和SNL组成的国家技术实验室（VNL）签订了极紫外光刻联合研发协议（CRADA）。

　　1998年，日本开始极紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立极紫外光刻系统研究协会（EUVA） 。

　　1962年，中国北京化工厂接受中国科学院半导体研究所的委托，着手研究光刻胶，以吡啶为原料，采用热法工艺，制成聚乙烯醇肉桂酸酯胶。

　　1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产。

　　1970年，103B型、106型两种负胶投产，环化橡胶系负胶BN-302、BN-303也相继开发成功。

　　聚氧乙烯-b-聚甲基丙烯酸叔丁酯PEO-b-PMOXZPoly(ethylene oxide-b-2-methyl oxazoline)

　　聚氧乙烯-b-聚甲基恶唑啉

　　PEO-b-PGD

　　Poly(ethylene oxide-b-glycolide)

　　聚氧乙烯-b-聚丙交酯

　　PIB-b-PAA

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　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。

　　聚乳酸-聚已内酯-b-聚乙二醇-叶酸

　　PLAL-mPEG

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)   LA:AL 50:50

　　聚乳酸-聚烯丙基丙交酯-b-聚乙二醇PLAL-PEG-PLAL

　　Poly(lactide-co-allyl lactide)-b-poly(ethyleneglycol)-Poly(lactide-co-allyl lactide) LA:AL 50:50