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　　1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 。

　　1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。

　　1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。

　　1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术。

　　1989年，日本科学家Kinoshita提出极紫外光刻技术（EUVL）。

　　1990年后，开始出现248 nm化学增幅型光刻胶。

　　1992年，IBM使用甲基丙烯酸异丁酯的聚合物作为化学增幅的193 nm光刻胶材料。同年Kaimoto等也发现了非芳香性的抗蚀刻剂，而且在193 nm有较好的透光性 。

　　实施例8还原响应性p(cpt-maa)纳米凝胶-3的制备将cpt-ss-m(50mg)，甲基丙烯酸(450mg)，甲叉双丙烯酰胺(55.6mg)和偶氮二异丁腈(11.2mg)，加入到干燥的50ml单颈圆底烧瓶中，接着加入40ml无水乙腈，超声使溶解。通氮气0.5小时以除去反应体系中的空气，接着将反应混合物加热至沸腾状态并保持2小时。待反应结束后，收集反应混合物，以1×104转/分钟的转速离心10分钟，得p(cpt-maa)纳米凝胶。接着，加入20ml乙腈，超声分散均匀，离心，重复此操作三次，获得较纯的黄的p(cpt-maa)前纳米凝胶。该方法下cpt-ss-m的接枝率为91.4±0.5％，马尔文粒度仪测得的该纳米凝胶的粒径为331±2nm，电位为-20.0±1.0mv。

　　Methoxy poly(ethyleneglycol)-b-polyethyleneimine聚乙二醇-b-聚乙烯亚胺PCL-b-PEI

　　Poly(ε-caprolactone)-b-polyethyleneimine

　　聚已内酯-b-聚乙烯亚胺

　　PLGA-b-PLL

　　Poly(lactide-co-glycolide)-b-poly(lysine-Zprotected)

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　　在环境保护方面，PIB-b-PMAA由于PMAA部分的亲水性，可以作为一种水溶性吸附材料，广泛应用于水处理和污染物去除。PIB部分的疏水性有助于吸附和去除水中有机污染物，而PMAA则能够吸附一些无机污染物，尤其是对重金属离子的吸附效果较好，适用于水净化。此外，PIB-b-PMAA还可应用于涂料和涂层，作为增强材料的稳定性和*污性。PIB的疏水性有助于提高涂料的耐污染性，而PMAA部分则改善了涂层的附着力和抗湿性。因此，PIB-b-PMAA在工业涂层、电子元件保护等领域有重要的应用。

　　本发明提供了喜树碱前凝胶，它是包含喜树碱前、甲基丙烯酸、交联剂和引发剂的原料通过聚合制备得到的，其中，所述喜树碱前的结构如式ⅰ所示:进一步地，所述的喜树碱前凝胶满足以下至少一项:

　　所述原料的重量配比为:喜树碱前25～100份、甲基丙烯酸400～475份、交联剂26.3～125份、引发剂11.2～22.2份；

　　优选地，所述原料的重量配比为:喜树碱前50～100份、甲基丙烯酸400～475份、交联剂26.3～125份、引发剂11.2～22.2份；