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　　光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　碳纳米管负载金纳米团簇Au15(SR)13小尺寸金纳米团簇

　　Cd1Au14(StBu)12合金纳米团簇

　　金刚烷硫醇保护的Au40（S-Adm）22纳米团簇

　　γ-环糊精-金属有机框架（γ-CD-MOF）

　　Au25(SR)18不同配体不同数量金纳米团簇

　　二氧化硅-BPEI-金纳米团簇

　　Au38(SR)24金团簇

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　　PEI/SiO 2和IIP-PEI/Si O2的红外光谱图如图3所示。在1212 cm-1处的吸收峰在印迹之后明显增强, 这是叔氨基的特征吸收峰C-N。在3641 cm-1和1701 cm-1的吸收峰, 即N-H的吸收峰, 消失。这些峰的消失说明PEI链的伯胺及叔胺上的H原子被环氧氯丙烷的亚甲基取代 (通过开环反应及脱氯化氢反应) 。也就是说, 的PEI链上的伯胺及仲胺基变为了叔氨基。同时, -OH键的震动吸收峰在3304 cm-1处消失, 进一步说明环氧氯丙烷的开环反应发生了。这充分说明了PEI大分子之间的交联反应在环氧氯丙烷的交联作用下发生了, 在硅胶颗粒表面形成了一层离子印迹聚合物, 获得了离子印迹聚合物IIP-PEI/Si O2。

　　在物递送方面，PMAA-PCL-SH通过巯基与物分子进行共价结合，能够实现物的靶向传递和缓释。PMAA基团增强了材料的水溶性，有助于物的溶解和吸收。该材料还可通过改变PMAA的分子量或比例来调节物的释放速率，从而实现更为的物管理。此外，PMAA-PCL-SH也可用于环境保护和水处理，利用其巯基吸附水中的重金属离子和有机污染物。其表面功能化特性使其成为的吸附剂。厂家:西安瑞禧生物状态:固体/粉末/溶液