详细说明
KX-HS-FB热电偶用补偿导线最后用导线将E与仪表E端钮相接,电位探针P与仪表的P端相接,电流探针C与仪表C端相连接。如下图:如果是四端钮的接地摇表:3.接地摇表的读数:将倍率开关置倍数上,缓慢的摇动发动机手柄,同时转动“测量标度盘”,使检流计指针处于中心线位置上。当检流计接近平衡使,加快摇动手柄,使发动机转速升到120r/min,同事调节“测量标度盘”,使检流计指针在中心线位置,此时可读取数值。读数就是选择的倍率×测量的标度盘读数。
ABHBR,ABHBRP耐高温防火电缆
一:产品特点及用途
ABHBR,ABHBRP电缆适用于发电、冶金等高温、防火、防腐等恶劣环境下移动电器用电气连接或动力传输。
二:产品执行标准
Q/HHTZH009.3
耐火特性符合GB12666.6-90要求(IEC331)
三:使用特性
1. 交流额定电压: 1KV及以下
使用温度:一种-40-500℃
一种-40-800℃
2. 耐火特性:火焰温度950-1000℃、燃烧时间90min、附加额定电压3A电流
四:耐高温防火电缆型号及名称
型号
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产品名称
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ABHBR
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耐高温防火软电缆
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ABHBRP
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耐高温防火软电缆
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备注:阻燃聚氯护套型号前加ZR,铠装电缆型号后加22
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五:主要技术指标
性能项目
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单位
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技术指标
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20℃导体直流电阻≤
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Ω/km
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参照表
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试验电压
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3.5/5min
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绝缘电阻
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MΩ/km
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500
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耐火特性
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GB12666.6A类或B类
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阻燃特性
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GB12666.5A类或B类
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六:基本电缆规格及结构参数
KX-HS-FB热电偶用补偿导线电力系统是电力工业的基本形态,它是由发、输、变、配、用电各个环节构成的一个统一整体。发电机将机械能转化成三相交流正弦波电能,为了减小在输电线路上电能的损失,需要升压变压器进行升压,然后用高行输电,经过多次降压输送到靠近10kV用户终端变配电所。在上述过程中用三相交流线路进行输送电能。对于三相四线制和三相五线制是对于低压系统来说的,电力系统中规定交流1000V及以下电压等级为低压。对于10/0.4kV等级的用户终端变配电所来说,指的是从变压器二次侧到用电负荷的低压配电系统。
规格mm2
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近似外径(mm)
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规格mm2
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近似外径(mm)
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2*1.5
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10.0
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3*1.5
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10.2
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3*2.5
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12.5
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3*2.5+1*1.5
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14.0
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3*4
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14.2
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3*4+1*2.5
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15.7
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3*6
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16.5
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3*6+1*4
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17.5
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3*10
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17.5
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3*10+1*6
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20.0
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3*16
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20.5
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3*16+1*10
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22.8
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3*25
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23.9
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3*25+1*1
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26.5
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KX-HS-FB热电偶用补偿导线比如陶瓷,纸张,木材等。图二接近开关的现场应用如图二所示,是接近开关在工业现场的实际应用,它一般通过支架固定,当检测物体靠近的时候,它的指示灯会亮,表示接近开关有了输出,同样,如果接线正确,PLC就会有输入信号。接近开关怎样接入PLC的输入点呢?其实它和按钮开关类似,一般接近开关都有三根线,分别是棕色,蓝色和黑色。棕色和蓝色是电源,通常棕色为24V,蓝色为0V。黑色是信号线,接到PLC的输入,而这个信号正是我们所需要的。
公司其它电缆产品:
按用途分类有:电力电缆,控制电缆,电缆,计算机电缆,本安计算机电缆,计算机电缆,通信电缆,船用电缆,电焊机电缆,矿用电缆,矿用通信电缆,铠装电缆,西门子总线,信号电缆,汽车电缆,机车电缆,电梯电缆,随行电缆,电梯随行电缆,扁电缆,电梯随行扁电缆,电梯井道电缆,电梯线,电梯网线,仪表专用电缆,电源线,变频电缆,补偿导线,补偿电缆,布电线,高压电缆,光伏电缆,拖链电缆,行车电缆,起重机电缆,卷筒电缆,龙门吊卷筒电缆,堆取料机卷筒电缆,起重卷筒电缆,港机卷筒电缆,升降机电缆,特种车辆用电缆,盾构机电缆。按性能分类有:高温电缆,扁电缆也称之为扁平电缆,行车用扁电缆,阻燃电缆,阻燃电力电缆,阻燃控制电缆,阻燃计算机电缆,移动用耐弯曲扁电缆,柔性扁电缆,硅橡胶柔性扁电缆,高压扁电缆,低烟无卤电缆,低烟无卤阻燃电缆,耐高温电缆,耐高温电力电缆,耐高温控制电缆,耐高温计算机电缆,耐温线,抗拉电缆,柔性电缆,耐磨电缆,防水电缆,耐火电缆,软电缆,耐寒电缆。按材质分类有:硅橡胶电缆,耐高温硅橡胶电缆,硅橡胶柔性电缆,行车用硅橡胶电缆,钢包车用硅橡胶电缆,移动硅橡胶电缆,橡套电缆,氟塑料电缆,电缆。典型型号:见电线电缆型号。来电即可咨询当前实时电缆价格。欢迎广大客户选购。
KX-HS-FB热电偶用补偿导线场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫做源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。