FZ1200R12KL4C:

　　FZ1200R12KL4C品牌:英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）；

　　FZ1200R12KL4C产地:源产于德国品质；

　　FZ1200R12KL4C批号:2015/2016预订

　　FZ1200R12KL4C价格:RMB面议；

　　FZ1200R12KL4C数量:258；

　　深圳市迈瑞施电子技术有限公司O755一328II887 ,Q 十119859,8287

　　FZ1200R12KL4C封装形式:IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；

　　> 650V

　　产品型号 参数说明 封装形式

　　IDW10G65C5 10A , 650V , thinQ  5G TO-247

　　IDW12G65C5 12A , 650V , thinQ  5G TO-247

　　IDW16G65C5 16A , 650V , thinQ  5G TO-247

　　IDW20G65C5 20A , 650V , thinQ  5G TO-247

　　IDW30G65C5 30A , 650V , thinQ  5G TO-247

　　IDW40G65C5 40A , 650V , thinQ  5G TO-247

　　> 1200V

　　产品型号 参数说明 封装形式

　　IDH02SG120 2A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

　　IDH05S120 5A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

　　IDH08S120 7.5A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

　　IDH10S120 10A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

　　IDW10S120 10A , 1200V , thinQ  2G TO-247

　　IDH15S120 15A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

　　IDW15S120 15A , 1200V , thinQ  2G TO-247

　　IDW20S120 20A , 1200V , thinQ  2G TO-247

　　IDW30S120 30A , 1200V , thinQ  2G TO-247

　　公司拥有大量正规渠道的现货库存，建立起完善的国外采购流程，可接受客户国外代购业务。

　　1，功率器件:

　　IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；

　　2，驱动器件:

　　CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板，

　　操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元;

　　3，快速熔断器:

　　日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN；

　　4，工业大容量电容:

　　日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；红宝石，

　　epcos艾普科斯、电解电容以及美国CDE无感电容；

　　5，传感器:瑞士LEM电流传感器，电压传感器，霍尔传感器；

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