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进口代理Infineon西门子

名称:进口代理Infineon西门子

供应商:深圳市迈瑞斯国际有限公司

价格:面议

最小起订量:1/个

地址:深圳市龙岗区平吉大道和富安大道华南城国际电子交易中心对面

手机:17097331815

联系人:韦德 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:84838952

更新时间:2021-06-25

发布者IP:114.117.84.205

详细说明

  FZ1600R12KF4

  FZ1600R12KF4 简介

  品牌:西门子(SIEMENS)、英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)同属于西门子及子公司

  FZ1600R12KF4备注:全新原装现货

  FZ1600R12KF4产地:德国

  FZ1600R12KF4批号:2014年生产

  FZ1600R12KF4类型:IGBT功率模块/IGBT智能模块

  关于FZ1600R12KF4更多FZ1600R12KF4 PDF 参数FZ1600R12KF4 datasheet FZ1600R12KF4资料 FZ1600R12KF4代理,最新现货库存 价格 欢迎联系。

  专业功率IGBT模块代理/批发:.西门子、英飞凌、EUPEC、三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、ST、IR,IXYS,日立等品牌,以及进口变频器PLC。

  更多资料-现货-欢迎查阅:

  经营产品:

  <功率模块:

  GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流桥

  (电流25A-3600A)(600V/1200V/1700V/3300V6500V);

  

  <军工级器件:

  多芯片模块,模拟和混合信号逻辑芯片,数字光耦和模拟输出光耦,光电耦合器,发光二极管;

  <集成电路(IC)、二三极管、场效应管;

  <电阻电容:

  FZ1000R12KF1

  FZ800R33KL2C_B5

  FZ800R33KL2C

  FZ800R33KF2C

  FZ800R17KF6C_B2

  FZ800R16KF4

  FZ800R12KL4C

  FZ800R12KF4

  FZ1800R17KF6C_B2

  FZ1800R17KE3_B2

  FZ1800R16KF4

  FZ1800R12KL4C

  FZ1800R12KF4

  FZ1600R17KF6C_B2

  FZ1600R17KE3

  FZ1600R12KL4C

  FZ1600R12KF4

  FZ1200R33KL2C_B5

  IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。

  igbt的应用领域  

  在变频调速器中的应用【3】   spwm变频调速系统的原理框图如图1所示。主回路为以igbt为开关元件的电压源型spwm逆变器的标准拓扑电路,电容由一个整流电路进行充电,控制回路产生的spwm信号经驱动电路对逆变器的输出波形进行控制;变频器向异步电动机输出相应频率、幅值和相序的三相交流电压,使之按一定的转速和旋转方向运转。

  大制动电阻、功率电阻、保护电阻、缓冲电阻以及贴片电阻;

  钽电容、铝电容,电解电容、吸收电容、薄膜电容、西门子电容以及贴片电容;

  经营品牌:

  德/欧系:西门子(SIEMENS)、英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)、西门康(SEMIKRON)、 ABB、莱姆(LEM)、爱普科斯(EPCOS)、

  美系:国半(NS)、国际整流器(IR)、美信(MAXIM)、安森美(ON)、意法半导体(ST)、德州仪器(TI) 、霍尼韦尔国际(Honeywell)、仙童(FSC)、

  日系:三菱(MITSUBISHI)、日立(HITACHI)、欧姆龙(OMRON)、TDK、红宝石( Rubycon);

  韩系:三星(SAMSUNG);

  FZ1000R12KF1

  FZ800R33KL2C_B5

  FZ800R33KL2C

  FZ800R33KF2C

  FZ800R17KF6C_B2

  FZ800R16KF4

  FZ800R12KL4C

  FZ800R12KF4

  FZ1800R17KF6C_B2

  FZ1800R17KE3_B2

  FZ1800R16KF4

  FZ1800R12KL4C

  FZ1800R12KF4

  FZ1600R17KF6C_B2

  FZ1600R17KE3_B2

  FZ1600R17KE3

  FZ1600R12KL4C

  FZ1600R12KF4

  FZ1200R33KL2C_B5

  IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。

  igbt的应用领域