PTS高压IGBT/ICBT尖峰突波吸收电容的详细描述:

　　0.22uF,0.47uF,0.68uF,1uF,1.5uF,2uF,2.5uF 3UF 4UF,电压为1200VDC,1600VDC,2000VDC,3000VDC轴向无感吸收电容器/IGBT突波吸收电容器

　　PTS  IGBT无感突波吸收电容器(圆柱形)

　　产品性能说明:

　　低效串联电阻

　　低等效串联电感

　　可承受非常高的du/dt

　　额定电压: 700 to 3000 Vdc

　　电容量: 0.0068 to 6.8μF

　　执行标准 GB/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GG/T 2693 idt IEC 60384-1

　　金属化聚丙烯膜无感卷绕而成

　　具有立式和卧式二种安装形式，引出端子直接连接于IGBT模块，最大限度减小回路电感量

　　具有低的ESR和高的dv/dt特性

　　可承受很大的峰-峰值电流IPP和高频有效值电流Irms

　　可提供满足各类IGBT/IGCT等电力电子功率器件所需的系列化产品