平顶山模具清洗机公司

　　原位清洗也称定位清洗法。前提是设计一种的胶料，这种胶料可覆贴在模腔表面。硫化后撕下此覆贴层时，原来的模垢层也被一起带了下来，从而使模腔表面得到一次彻底的清洗。设计这种胶的关键是配加能起清洗作用的组分(通常是含氨基或羟胺的化合物)，具体品种有:聚乙醇胺、二乙醇胺、2一氨基一2一甲基一1一丙醇。在硫化过程中，能渗入金属与模垢之界面，从而削弱模垢与金属的结合，待硫化结束，除垢也同步完成。与其他清洗方法相比，原位清洗具有以下三方面的优点:清洗速度快。清洗胶的硫化／促进体系很强，硫化周期很短。如MCR在160-190~C温度下，正硫化时间仅5min。。原位洗模胶所需的洗模时间很短，耗能较少。对于体积大的模具，这种反差更为明显。对模具而言，不会因为洗模而影响表面光洁度，更不会影响尺寸精密度。超声波清洗的原理把液体放入清洗槽内，给槽内作用超声波。由于超声波与声波一

　　模具作为用来制作成型物品的工具，广泛应用于多种材料的成型、压力铸造，如工程塑料、橡胶、陶瓷等。但在橡胶、硅胶的铸造中，因为硫化橡胶、硅胶一定要在高温条件中完成，导致胶料中一些油分或化学品残留在模具内部，久而久之在高温下焦化形成顽固的污垢，所以模具污垢的清洗，一直是件让人焦头烂额的事情。

　　晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。炉前（RCA）清洗:扩散前清洗。光刻后清洗:除去光刻胶。氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面的沾污物。抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。离子注入后的清洗:除去光刻胶，SiO2层。扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSG和PSG。CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。附件及工具的清洗:除去表面的沾污物。可用于完成扩散前、光刻后、CMP后及氧化前等工艺的清洗工作。例如:RCA清洗、SPM清洗、SC清洗、金属离子及杂物去除清洗等。全自动硅片清洗机手动硅片清洗机附件及工具清洗设备有机化学超净工作台

　　顾名思义，此类洗模在灼烧高温下进行。根据设备条件的不同，有直接灼烧、高温盐浴、沸腾床及高温烘箱等。温度范围通常在427~454~C。喷灯直接灼烧。把待洗模具置于喷灯前引燃，通过高温燃烧，将污垢烧除。沸腾床灼烧。把待洗模具置于有筛孔的吊篮中(见图2)，吊篮再放入沸腾床，加热到一定温度(427—454~C)后，使强劲的气流吹向预置于床内的氧化铝磨粒，使其浮动而呈沸腾状，从而使污垢从模腔表面脱落下来。这样，经过高温灼烧后的模腔表面