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　　 图3（a）是采用TCAD模拟的RTD与HBT互连的剖面图，采用第二层金属将HBT的收集区与RTD的下电极相连。图3（b）是已实现的RTD2HBT集成电路图片，该电路包含有六个不同面积的RTD，HBT发射区面积为2&TImes;

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　　 缓冲电路的基本结构

　　缓冲电路的功能有抑制和吸收两个方面，因此图1（a）是这种电路的基本结构，串联的LS用于抑制di/dt的过量，并联的CS用于吸收器件上的过电压，即器件在关断时CS通过快速二极管DS充电，吸收器件上出现的过电压能量，由于电容电压不会跃变，限制了重加dv/dt。  2.5 变容二极管的检测 将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。000小时，如果因影响使同步牌临界状态，如有需要，欢迎。 半导体器件命名型号由以下5部分组成: 部分:用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。2 保护用----接电源正:假如这个器件是接继电器或针式打印头，因为电感的作用，会在开关过程中产生低于地电位和高于电源电位的反电动势，这样，很容易击穿器件。

　　A-为了防止这种现象的发生，可将COM端接到电源正，来削减冲击电压低到二极管压降加电源电压的幅度----可以使得内部的三极管受到最小的正电压冲击。