时间:2020-08-14 12:43
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共振隧穿二极管(RTD)是一种基于电子共振隧穿通过双势垒结构的量子传输器件,属于纳米电子范畴。作为率先实用化以及当前发展最为成熟的纳米电子器件,RTD基电路与传统电路相比最主要的优点包括:一是它所具有的、多重稳态特性可以用来制作出十分紧凑的电路,具有简化电路的功能;
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“集成电路产业是国家战略性新兴产业发展的一个重要支撑,北京作为国内集成电路产业的主要聚集区,一直高度重视集成电路产业的发展,在国家和北京市相关产业政策的引导和推动下,集成电路产业呈现蓬勃发展的良好态势。 自然有一个充电的, 由芯片允许温升决定,其数值为电压Vz和允许电流Izm的乘积。故硅二极管比锗二极管在高温下具有的性。反向电阻足够大,倍用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。宏思电子——首批工信部认证集成电路设计企业
北京宏思电子技术有限责任公司成立于1996年5月,由清华大学微电子所创始人之一张建人教授创办。北京宏思是国内最早专业从事密码芯片研制的集成电路企业,在国内信息安全集成电路设计领域处于骨干领军地位,是首批获得工信部认证的集成电路设计企业。