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　　 1.2 RTD与HBT集成

　　与HEMT不同，HBT属于受电流调控的增强型器件。RTD与HBT的集成［526］，相对普通HBT工艺，增加了两步:一是RTD台面的刻蚀。RTD以外的区域先刻蚀到InP阻挡层，然后刻蚀到HBT发射极帽层，从这点开始，进行HBT工艺，HBT发射极金属同时作为HBT发射极接触和RTD顶部接触。 2) 滤p----在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较的直流电压。其中分立器件可进一步分为二极管、三极管、晶闸管、晶体管等s集成电路可进一步分为模拟电路、微处理器、逻辑集成电路存储器等。， 好啦，重庆达标电子的阐述就到这里了，欲知更多二极管的信息，敬请访问重庆达标电子: 专业生产二极管、铝电解电容以及变压器。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。

　　集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。