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　　 1.1 RTD与HEMT的集成在实际电路应用中与RTD集成最多的器件就是HEMT，其所形成的电路不仅保持了高频率、低噪声和低功耗的特点，而且大大简化了电路结构，减小了芯片面积。RTD器件主要制作在HEMT的源区或漏区，这样易形成串联或并联的形式，可以简化工艺，提高集成度。  1N4148 硅开关二极管 75V，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。在这3种故障中，前一种故障出电源电压升高;后2种故障为电源电压变低到零伏或输出不。 9.什么是二极管的反向额定电压 二极管反向截止时，可以承受一定的反压，那么其可承受的反压就是额定电压。 6.fm—工作。评估板EVAL-M1-36-45A电路图:三相逆变器(CIPOS nano IPM)

　　[原创] Infineon IRMCK099高性能无传感器马达控制方案

　　图6.评估板EVAL-M1-36-45A电路图:过流保护

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　　图7.