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　　 电容的重要目标 容量:电容的容量，即贮存电荷的容量。 击穿,外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然大，这种现象称为穿。 四、稳压e极管 稳压二极管，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在点型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。在PN结两端加反向电压时反向电流会加，所产生反向电流的大小与光的照度成正比，所以光电二极管正常工作时所加的电压为反向电压。

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　　 在11月16-17日举办的中国集成电路设计业2017年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛上，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军表示，今年以来，我国集成电路产业规模持续扩大、区域发展精彩纷呈、产品创新步伐明显、发展质量不断改善。

　　 3.3中特殊时钟问题，都可以通过门仿验证其正确性；一些窄脉冲是否能通过IOBuffer。总之，这是一个非常重要的过程，需要花大量的时间去分析一些关键信号的波形与设想的是否一致。

　　总结

　　ASIC设计是一个复杂和全局的过程，从结构设计、代码设计、综合以及物理设计、时序分析、门级仿真，整个过程周期长，每个环节都不能孤立的思考。SBD的反向恢复时间是肖特基接怪卸嗍截流子耗尽的， 2.5 变容二极管的检测 将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。3A，引起穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。 6、变容二极管使用于电视机的高频头中。