⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。Uceo≥2厂2U 在电源电压为380V的变频器中，应有 Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用 Uceo=1200V的GTR是适宜的。

　　⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择Icm≥2厂2 In GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。 今天我告诉大家的是MOSFET以及IGBT

　　1、 绝缘栅双极晶体管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。

　　工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。

　　2、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G

　　其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。

　　至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A，由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。

　　此外，其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10KHZ以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。

　　目前，在新系列的中小容量变频器中，IGBT已处于绝对优势的地位！

　　1、 变频器须解体，查看内部是否有异常现象.（如:镙丝松动、焊锡脱落、器件松动、器件烧焦、烧煳现象。）

　　2、 检查变频器内部易老化器件，如:风扇，功率器件，功率电容，及印板老化现象。

　　3、 清理变频器内部粉尘，油污，腐蚀性及导体杂质。对主要印板如:主控板，驱动板，开关电源板。采用全新品进口电子清洁剂进行喷洗，去除其老化层及导电物质。

　　4、 对变频器主要控制部分进行先进的加膜处理。起到防尘，防老化，防导电物质，防水，及腐蚀性物质。