M8918可以完全替代BP2328A，M8918是茂捷半导体设计研发的一款高PF 非隔离内置MOS的LED芯片，芯片经过各项测试，均达到LED行业要求，在与BP2328的对比上，M8918基本各项参数都有所优势，首先M8918与BP2328属于PIN对PIN，只需修改少许外围元件即可实现较稳定的性能，其次M8918的优势在与① 高PF 高效率② 启动电流低 防止回闪③ 浮地架构，长相电压检测 抗干扰能力强④恒流精度高，输出电压范围宽！M8918在BP2328的基础上也有不少的改进，在实际应用中，稳定性更高，在效率方面也提高了，可以说是加强版BP2328A，但是在价位上却有着优势，M8918目前已经得到各大厂家的青睐，我们可提供详细参数资料以及样品与EDMO版，真品质好服务，茂捷为您！

　　M8918参数

　　符号 参数                        参数范围 单位

　　VDS 内部高压 MOSFET 漏极到源极的峰值电压 -0.3~600 V

　　IDD_MAX VDD引脚最大钳位电流                      10 mA

　　COMP 环路补偿点                  -0.3~6 V

　　INV 辅助绕组的反馈端                  -0.3~6       V

　　SEN 电流采样端                  -0.3~6 V

　　PDMAX 功耗                            0.45 W

　　θ JA PN 结到环境的热阻                    145      ℃/W

　　TJ 工作结温范围              -40 to 150 ℃

　　TSTG 储存温度范围               -55 to 150 ℃

　　ESD                               2 KV

　　M8918 集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率 因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临 界连续模式，功率 MOS 管处于零电流开通状态，开 关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。

　　M8918 内部集成 600V 功率 MOSFET,只需要很少的 外围器件，即可实现优异的恒流特性.

　　M8918 采用专利的浮地构架，对电感电流进行全 周期采样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优 异的线电压调整率和负载调整率。

　　有源功率因数校正，高 PF 值，低 THD

　　内置 600V 功率 MOSFET

　　高达 95%的系统效率

　　±3% LED  输出电流精度

　　优异的线电压调整率和负载调整率

　　电感电流临界连续模式

　　超低 (33uA) 启动电流

　　超低 (300uA)  工作电流

　　LED 短路/开路保护

　　电流采样电阻开路保护

　　逐周期电流限流

　　芯片供电欠压保护

　　自动重启功能

　　过热调节功能

　　采用 SOP-8/DIP-8 封装

　　深圳市泰德兰电子有限公司（茂捷一级代理商）

　　深圳市茂捷半导体有限公司