采购4H-SiC碳化硅晶棒和碳化硅单晶衬底从苏州恒迈瑞材料科技，我司提供高品质且具有价格竞争力的4H-N型测试级碳化硅晶棒。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中有优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展更为成熟。

　　以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件以其良好导热性和大功率输出的优势，成为5G基站功率放大器的主流选择。5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。