GaN基m族氮化物是宽禁带直接带隙半导体材料，因其优异的电学性能和 物理、化学稳定性，是制造发光二极管(LED, Light Emitting Diode )、短波长 激光器、高功率晶体管、紫外光探测器等的理想材料，而其中蓝宝石(A1203)是异质外延GaN薄膜最为通用的一种村底材料。

　　苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸，6英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。

　　氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um

　　晶向:C-plane(0001)±0.5°

　　位错密度:≤5x108cm-2

　　抛光要求:单抛/双抛