苏州恒迈瑞材料科技供应的碳化硅外延片以350um厚度4H-N型为衬底层，衬底层晶向为4±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片产品尺寸有4英寸和6英寸导电类型分为N型及P型，N型碳化硅外延片掺杂氮，P型碳化硅外延片掺杂铝。

　　恒迈瑞碳化硅外延片载流子浓度及厚度可按要求定制生产。

　　由于碳化硅器件必须制作在外延材料上，所以基本上所有碳化硅单晶材料都将作为衬底材料用来生长外延材料。国际上碳化硅外延材料技术发展迅速，外延厚度达到250 μm以上。其中，20 μm及以下的外延技术成熟度较高，表面缺陷密度已经降低到1个/cm2以下，位错密度已从过去的105个/cm2，降低到目前的103个/cm2以下，基平面位错的转化率接近100 %，已经基本达到碳化硅器件规模化生产对外延材料的要求。