恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片和方形10*10.5mm2氮化镓衬底片材料，导电类型分为n型非掺杂、n型si掺杂，及Fe掺杂半绝缘氮化镓晶片。产品等级有测试级，研究级和产品级氮化镓衬底。另外衬底结构为GaN on Sapphire的氮化镓复合衬底有2英寸和4英寸，厚度均为350um±25um。

　　氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。