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　　依据此效应的半导体器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。依据方案设计和生产加工制作工艺，使光电池工作上在无外置电源下，则以太阳能发电站效应工作上。光感应管工作上在反方向偏压下，则一块儿存在光导效应和太阳能发电站效应。她们输出的光电流与光照强度均具有线性相关。电子光学磁效应（统称PEM效应）半导体器件受强光照照射，并在光照竖直方向多加磁场时，垂直平分光和磁场的半导体器件两侧面间导致电势差的情况称作电子光学磁效应。它可以作为是光扩散电流值的霍尔效应。

　　用于流量测量的霍尔效应传感器。该腔室设有流体流入和流出的开口，流体流过这些开口。带有螺纹轴布置的弹簧加载桨使磁性组件朝向霍尔磁体来回移动。随着通过腔室的流速增加，弹簧加载的桨叶转动螺纹轴。因此，当轴转动时，磁性组件会向上升高，从而使传感器通电。当流量减少时，弹簧线圈会导致磁性组件下降。因此，换能器输出降低。整个布置经过校准，使得测得的电压和流速之间存在线性关系。在这种方法中，霍尔效应传感器用于确定浮子的高度，从而测量罐中的液位。下图说明了浮子和霍尔效应元件在罐中的布置。浮子附有一块磁铁，这样它的驱动就会改变离霍尔元件远近的磁场距离。

　　未来几年，随着越来越多的汽车电子和工业设计企业转移到中国，霍尔传感器在中国市场的年销售额将保持20%到30%的高速增长。与此同时，霍尔传感器的相关技术仍在不断完善中，可编程霍尔传感器、智能化霍尔传感器以及微型霍尔传感器将有的市场前景。什么是霍尔效应？霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。