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　　M1电流传感器为了消除上述磁场检测型在安装难度（有铁芯）和功率损耗（无铁芯）方面的缺点，ROHM开发出了使用MI（Magneto Impedance）元件的磁场检测型非接触型电流传感器。MI传感器作为使用非晶丝，利用其磁阻抗效应的新一代传感器，其特点是具备超高灵敏度的磁性检测能力。灵敏度远超霍尔元件，可高精度检测磁性的微小变化。因此，无需将电流引入封装内，也能以高精度进行非接触式电流检测（磁性检测）。

　　贝克勒耳（Becquerel）效应贝克勒耳效应是液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电中的任一个电时，在两个电间将产生电势的现象称为贝克勒耳效应。基于该效应的有感光电池。图像传感器是为满足不同应用的目标而设计的，它提供了不同级别的灵敏度和质量。想要熟悉各种传感器，可查阅其厂商信息。例如，为了在硅基模和动态响应(用于实现光强度和颜检测)之间有一个好的折中，对一个特定的半导体制造过程，需优化每个光电二管传感器单位的大小和组成成分。

　　VH=HIB sinα其中H是整体灵敏度系数，它取决于板材料、温度及其几何形状，α是磁场矢量和霍尔板之间的角度，I是电流密度。另外，整体灵敏度取决于霍尔系数，霍尔系数是每单位电流密度每单位磁场强度的横向电势梯度。因此，霍尔系数给出为:H = 1/Ncq、其中c是光速，N是每单位体积的电子数。霍尔效应传感器如果传感器使用霍尔效应来感知磁场的存在，这种传感器称为霍尔效应传感器。磁传感器的基本元件是霍尔元件，这些传感器通常封装在一个四端子外壳中，其中两个端子是控制端子，另外两个是差分输出端子。